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2MBI50J-140 Transistor à haute isolation pour commutation de forte puissance

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Fiabilité renforcée avec le module de puissance 2MBI50J-140

Maximisez la productivité de vos équipements de production grâce à une gestion thermique supérieure et une commutation électronique sans faille.

Caractéristiques clés pour votre infrastructure

Ce bloc intègre deux transistors de puissance montés en série, parfaits pour former un bras de pont complet dans les applications de conversion de fréquence.

Fiche technique du composant électronique

Référence exacte2MBI50J-140
Technologie interneInsulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Capacité nominale50 Ampères / 1200 Volts
Usage principalCommutation de puissance et redressement

Bénéfices directs pour l'utilisateur industriel

Une réduction significative de l'échauffement interne permet de diminuer la taille des systèmes de refroidissement et d'alléger le coût global de votre armoire électrique.

Ce transistor répond parfaitement aux exigences des ingénieurs cherchant à stabiliser la tension de sortie de leurs générateurs de courant continu ou de leurs systèmes de chauffage par induction.

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